Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
MESFET — n Kanal Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET) Der Metall Halbleiter Feldeffekttransistor (engl. metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem… … Deutsch Wikipedia
MeSFET — n Kanal Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET) Der Metall Halbleiter Feldeffekttransistor (engl. metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem… … Deutsch Wikipedia
Metal Semiconductor Field Effect Transistor — n Kanal Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET) Der Metall Halbleiter Feldeffekttransistor (engl. metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem… … Deutsch Wikipedia
Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Prinzipskizze eines n Kanal MESFETs Der Metall Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal semiconductor field effect transistor, MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht Feldeffekttransistoren (JFET). Im Aufbau ähnelt er einem n Kanal … Deutsch Wikipedia
Kanalbeweglichkeit — kanalo krūvininkų judris statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. channel charge carrier mobility vok. Kanalbeweglichkeit, f; Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal, f rus. подвижность носителей заряда в канале, f pranc. mobilité des… … Radioelektronikos terminų žodynas
channel charge carrier mobility — kanalo krūvininkų judris statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. channel charge carrier mobility vok. Kanalbeweglichkeit, f; Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal, f rus. подвижность носителей заряда в канале, f pranc. mobilité des… … Radioelektronikos terminų žodynas
kanalo krūvininkų judris — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. channel charge carrier mobility vok. Kanalbeweglichkeit, f; Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal, f rus. подвижность носителей заряда в канале, f pranc. mobilité des porteurs de charge dans un… … Radioelektronikos terminų žodynas
mobilité des porteurs de charge dans un canal — kanalo krūvininkų judris statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. channel charge carrier mobility vok. Kanalbeweglichkeit, f; Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal, f rus. подвижность носителей заряда в канале, f pranc. mobilité des… … Radioelektronikos terminų žodynas
подвижность носителей заряда в канале — kanalo krūvininkų judris statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. channel charge carrier mobility vok. Kanalbeweglichkeit, f; Ladungsträgerbeweglichkeit im Kanal, f rus. подвижность носителей заряда в канале, f pranc. mobilité des… … Radioelektronikos terminų žodynas
High-k+Metal-Gate-Technik — Schematischer Querschnitt durch den Gate Aufbau eines Transistors in High k+Metal Gate Technik Die High k+Metal Gate Technik (HKMG Technik) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen speziellen Aufbau von Metall Isolator Halbleiter… … Deutsch Wikipedia
